單片式硅外延生長(cháng)爐模型
單片式硅外延生長(cháng)爐模型
單片式硅外延生長(cháng)爐是一種輻射加熱式的、氣體注射式的單晶片處理系統，系統利用化學(xué)氣相沉積(CVD)的原理在硅晶片表面生長(cháng)一層厚度均勻的不摻雜型或摻雜型外延層，適用于直徑分別為6英寸和8英寸的硅晶片。系統生長(cháng)的外延層厚度可控，其晶體結構與襯底硅晶片相同，屬于同質(zhì)外延。
單片式硅外延生長(cháng)爐模型
2022年11月17日admin
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