激光退火設備模型
半導體器件生產(chǎn)制造過(guò)程中，為了在硅晶圓中形成特定的摻雜，在制造過(guò)程中需進(jìn)行多道離子注入工藝。在離子輸入過(guò)程中，雜質(zhì)離子的轟擊會(huì )對晶圓中的硅原子造成一定程度的晶格損傷，導致雜質(zhì)離子不能位于正確的晶格位置而不具備應有的電活性，因此需要對晶圓進(jìn)行加熱處理以修復晶格并激活雜質(zhì)離子電活性，這種加熱處理工藝即為退火。
激光退火設備模型
激光退火設備模型
激光退火設備是指采用高能激光束進(jìn)行自動(dòng)化退火工藝加工的專(zhuān)用設備，其主要功能是將特定形狀且能量分布均勻的束斑投射到半導體晶圓上，并對晶圓進(jìn)行退火掃描和加工。相較于傳統的爐管退火及快速退火技術(shù)，激光退火由于具備瞬時(shí)溫度高、作用時(shí)間短、熱預算低、可選區加工等優(yōu)勢，能夠更好地滿(mǎn)足薄片加工和高效激活的工藝要求。目前，激光退火設備已廣泛應用于尖端邏輯芯片制造領(lǐng)域。
